Радиодетали и электронные компоненты купить в интернет-магазине SuperMega Market

Тип : диод кремниевый диффузионный серии Д161 аналог) Максимально допустимый средний прямой ток : IFAV) 200 при Ткорп 61;43;130С) А Повторяющийся импу

i

Силовой диод Д16120016 RUICHI

2 080 ₽

Тип : диод силовой кремниевый диффузионный серии Д161 аналог) Максимально допустимый средний прямой ток : IFAV) 320 А Повторяющийся импульсный обратны

i

Силовой диод Д16132016 RUICHI

2 210 ₽

Тип : модуль силовой полупроводниковый тиристорный серии МТТ Конфигурация : сборка тиристор тиристор, тип корпуса С16 Максимально допустимый средний

i

Тиристорный модуль МТТ50016 импорт) RUICHI

12 921 ₽

Тип : диод силовой кремниевый диффузионный серии Д161 аналог) Максимально допустимый средний прямой ток : IFAV) 100 А Повторяющийся импульсный обратны

i

Силовой диод Д14110018 аналог) RUICHI

1 431 ₽

Тип : модуль силовой полупроводниковый тиристорный серии МТТ Конфигурация : сборка тиристор тиристор, тип корпуса С14 Максимально допустимый средний

i

Тиристорный модуль МТТ20012 аналог) RUICHI

7 830 ₽

Тип : модуль силовой полупроводниковый диодный серии МДД Конфигурация : сборка диод диод, тип корпуса С13 Максимально допустимый средний прямой ток :

i

Диодный модуль МДД12512 аналог)

1 747 ₽

Тип : диод силовой кремниевый диффузионный серии Д161 аналог) Максимально допустимый средний прямой ток : IFAV) 200 А Повторяющийся импульсный обратны

i

Силовой диод Д161200Х16 RUICHI

2 442 ₽

Тип : модуль силовой полупроводниковый тиристорный серии МТТ Конфигурация : сборка тиристор тиристор, тип корпуса С16 Максимально допустимый средний

i

Тиристорный модуль МТТ63016 аналог) RUICHI

13 141 ₽

Тип : диод силовой кремниевый диффузионный серии Д161 аналог) Максимально допустимый средний прямой ток : IFAV) 320 А Повторяющийся импульсный обратны

i

Силовой диод Д161250х16 RUICHI

2 099 ₽

Тип : Энкодер инкрементальный двухканальный серии PEC12R с переключателем Назначение : для определения скорости и направл. вращения; угла поворота; пр

i

Энкодер PEC12R 2424 20mm RUICHI

276 ₽

Тип : Энкодер инкрементальный двухканальный серии EC12E Назначение : для определения скорости и направл. вращения; угла поворота; прим. в качестве руч

i

Энкодер EC12E 2424 15mm RUICHI

266 ₽

Тип: Энкодер инкрементальный двухканальный серии EC11E с переключателем Назначение : для определения скорости и направления вращения; угла поворота; п

i

Энкодер EC11E 3015 20mm RUICHI

259 ₽

Тип : Энкодер инкрементальный двухканальный серии EC11E с переключателем Назначение : для определ. скорости и направл. вращения; угла поворота; примен

i

Энкодер EC11E 3015 9,5mm RUICHI

301 ₽

Тип : Энкодер инкрементальный двухканальный серии PEC16 Назначение : для определ. скорости и направл. вращения; угла поворота; примен. в качестве ручк

i

Энкодер PEC16 2424 20mm RUICHI

271 ₽

Индуктор поверхностного монтажа B82464A4152M000, неэкранированный, производство EPCOS. Характеристики: Product Range B82464A4 Series Inductance 1.5 H

i

10 штук, Индуктивность SMD 1.5 мкГн 6.5 А 20 B82464A4152M000) EPCOS

491 ₽

Индуктор поверхностного монтажа, экранированный, производство EPCOS. Характеристики: Product Range B82464G4 SeriesInductance 15HRMS Current Irms) 2.75

i

10 штук, Индуктивность SMD 15мкГн 2.75А 20 B82464G4153M) EPCOS

491 ₽

Индуктор поверхностного монтажа, экранированный, производство EPCOS. Характеристики: EU RoHS Compliant ECCN US) EAR99Part Status ActiveHTS 8504.50.80.

i

10 штук, Индуктивность SMD 22мкГн 1.45А 20 B82472G6223M) EPCOS

466 ₽

Варистор CU3225K17G2 B72650M0170K72) производства EPCOS. Характеристики: Series CUProduct MLVTermination Style SMDSMTVoltage Rating AC 17 VACVoltage R

i

10 штук, Варистор B72650M0170K72 CU3225K17G2), 22В 0.5Дж EPCOS

477 ₽

Тактовые кнопки могут применяться в компьютерных проектах, бытовой технике, радиотехнике, промышленном оборудовании и иных проектах. Они замыкают цепь

i

Тактовые кнопки с крышками GSMIN AK13 4 шт.) Синий)

193 ₽

Понижающий преобразователь напряжения DCDC GSMIN LLC02 35Вт вход 5В30В выход 0.5В30В) автоматический Синий).При необходимости запитывания ремонтируемо

i

Понижающий преобразователь напряжения DCDC GSMIN LM2596 Синий)

134 ₽

Кейс для аккумуляторов или батареек. Вмещает 2 аккумулятора размером 18650 или 4 аккумулятора размером 16340. Идеальное хранилище для Ваших аккумулято

i

Кейс для хранения аккумуляторов 4х16340 и 2х18650

200 ₽

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллекторбаза Ucb): 1100 V Макcималь

i

Транзистор 2SC3461

247 ₽

Оптопара или оптрон электронный прибор, состоящий из излучателя света обычно светодиод, в ранних изделиях миниатюрная лампа накаливания) и фотоприм

i

Оптопара PC111

200 ₽

Структура npn Напряжение коллекторэмиттер, не более: 300 В Напряжение коллекторбаза, не более: 300 В Напряжение эмиттербаза, не более: 5 V Ток коллек

i

Транзистор 2SC3789

200 ₽

Максимальное обратное напряжение Uобр, В 600 Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс. повт. макс, В 600 Макс. среднее за период

i

BTA16600B симистр

219 ₽

Керамические выводные многослойные конденсаторы радиоэлектронные компоненты, предназначенные для накопления электрического заряда. Они являются пасси

i

Конденсатор 3300pF 50v

200 ₽

Оптопара или оптрон электронный прибор, состоящий из излучателя света обычно светодиод, в ранних изделиях миниатюрная лампа накаливания) и фотоприм

i

Оптопара PC817 DIP4

200 ₽

Маркировка: 6C Тип материала: Si Полярность: PreBiasedPNP Встроенный резистор цепи смещения R1 61; 47 kOhm Встроенный резистор цепи смещения R2 61; 47

i

Транзистор DTA144ES

200 ₽

Тип материала: Si Полярность: PreBiasedPNP Встроенный резистор цепи смещения R1 61; 22 kOhm Встроенный резистор цепи смещения R2 61; 22 kOhm Соотношен

i

Транзистор DTA124

200 ₽

Тип транзистора: MOSFET TO2632L Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность Pd): 326 W Предельно допустимое напряжение стокисток Uds: 60 V Предел

i

Транзистор HY4306

420 ₽

Керамические выводные многослойные конденсаторы радиоэлектронные компоненты, предназначенные для накопления электрического заряда. Они являются пасси

i

Конденсатор 1000pF 50v

200 ₽

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллекторбаза Ucb): 120 V Макcимально

i

Транзистор 2SD1815

200 ₽

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность Pc): 12.5 W Макcимально допустимое напряжение коллекторбаза Ucb): 1500 V Макcимал

i

Транзистор BU208A

245 ₽

Керамические выводные многослойные конденсаторы радиоэлектронные компоненты, предназначенные для накопления электрического заряда. Они являются пасси

i

Конденсатор 62pF 50v

200 ₽

Структура npn Напряжение коллекторэмиттер, не более: 70 В Напряжение коллекторбаза, не более: 150 В Напряжение эмиттербаза, не более: 8 V Ток коллект

i

Транзистор 2SD362

200 ₽

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллекторбаза Ucb): 30 V Макcимально

i

Транзистор 2SD2153 SMD

200 ₽

Керамические выводные многослойные конденсаторы радиоэлектронные компоненты, предназначенные для накопления электрического заряда. Они являются пасси

i

Конденсатор 680pF 50v

200 ₽

Керамические выводные многослойные конденсаторы радиоэлектронные компоненты, предназначенные для накопления электрического заряда. Они являются пасси

i

Конденсатор 120pF 50v

200 ₽

Маркировка: 6J Тип материала: Si Полярность: PreBiasedPNP Встроенный резистор цепи смещения R1 61; 4.7 kOhm Встроенный резистор цепи смещения R2 61; 4

i

Транзистор DTA143ES

200 ₽

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллекторбаза Ucb): 1100 V Макcималь

i

Транзистор 2SC3460

239 ₽

Усилителя мощности Питающее напряжение от 3 до 18В Входное сопротивление 30кОм Номинальное напряжение питания 11В Коэффициент усиления с ООС 26дБ Ток

i

TDA7266 микросхема

332 ₽

Сопротивление это величина, которая определяет способность резистора препятствовать протеканию тока в электрической цепи: чем больше сопротивление ре

i

Резистор 680 KОм 0.25 Ватт 10 штук

200 ₽

RFP50N06 является Nканальным силовым МОПтранзистором 60В, который использует процесс MegaFET. Этот процесс использует особенности, приближающиеся к те

i

Транзистор RFP50N06

251 ₽

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллекторбаза Ucb): 1500 V Макcимальн

i

Транзистор 2SD1554

200 ₽

Максимальный удерживающий ток 60mA Максимальная рабочая температура 43;125 C Повторяющийся пиковый ток в выключенном состоянии 1mA Повторяющееся пиков

i

Симистор BT152600

244 ₽

Video Signal Processing IC for VHS VCR Systems LA7437, 7437A это однокристальная ИС для обработки видеосигнала, которая поддерживает форматы PALG, B

i

LA7437 микросхема

367 ₽

Структура npn Напряжение коллекторэмиттер, не более: 120 В Напряжение коллекторбаза, не более: 120 В Напряжение эмиттербаза, не более: 5 V Ток коллек

i

Транзистор 2SC2235

200 ₽

Керамические выводные многослойные конденсаторы радиоэлектронные компоненты, предназначенные для накопления электрического заряда. Они являются пасси

i

Конденсатор 68pF 50v

200 ₽

Сопротивление это величина, которая определяет способность резистора препятствовать протеканию тока в электрической цепи: чем больше сопротивление ре

i

Резистор 9.1 Ом 0.25 Ватт

200 ₽

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность Pc): 0.4 W Макcимально допустимое напряжение коллекторбаза Ucb): 60 V Макcимально

i

Транзистор 2SD637Q

200 ₽

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность Pc): 12.5 W Макcимально допустимое напряжение коллекторбаза Ucb): 1500 V Макcимал

i

Транзистор BU208D

220 ₽

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллекторбаза Ucb): 1500 V Макcимальн

i

Транзистор 2SC3892A

234 ₽

Структура npn Напряжение коллекторэмиттер, не более: 80 В Напряжение коллекторбаза, не более: 100 В Напряжение эмиттербаза, не более: 5 V Ток коллект

i

Транзистор 2SD1414

200 ₽

Микросхема TDA7261 это классический усилитель мощности звуковой частоты с широким диапазоном питающих напряжений, предназначенный для работы в кинеско

i

Микросхема TDA7261

335 ₽

Структура npn Напряжение коллекторэмиттер, не более: 120 В Напряжение коллекторбаза, не более: 120 В Напряжение эмиттербаза, не более: 5 V Ток коллек

i

Транзистор 2SD756

200 ₽

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллекторбаза Ucb): 1000 V Макcимальн

i

Транзистор 18004 MJF

254 ₽

Diode Configuration Single Rectifier Type Soft Recovery Number of Elements per Chip 1 Brand IXYS Package Type TO220AC Maximum Continuous Forward Curre

i

Диод DSEP2906B, 600V 30A IXIS

399 ₽

Описание Корпус TO923, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 625 мВт, Напряжение КЭ максимальное 160 В, Ток коллектора 600 мА, Ко

i

2N5551

130 ₽

Наименование производителя: BC557A Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение к

i

Транзистор BC557A

200 ₽

Керамические выводные многослойные конденсаторы радиоэлектронные компоненты, предназначенные для накопления электрического заряда. Они являются пасси

i

Конденсатор 33nF 50v

200 ₽

Описание IRF9610PBF это силовой МОПтранзистор с Pканалом на 200 В, в котором используется передовая технология HEXFET. Эффективная геометрия и уникал

i

Транзистор IRF9610

200 ₽

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность Pd): 94 W Предельно допустимое напряжение стокисток Uds): 800 V Предельно доп

i

Транзистор TCM80A

332 ₽

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллекторбаза Ucb): 1200 V Макcималь

i

Транзистор BUV48B

200 ₽

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллекторбаза Ucb): 1100 V Макcимальн

i

Транзистор 2SC5027

210 ₽

Синхронный понижающий преобразователь SOT235 Он же PAM2312; AS11D; NCP1529 High Efficiency: Up to 96 1.5MHz Constant Frequency Operation 1.3A Output C

i

Микросхема AS11D MT3410L )

200 ₽

Керамические выводные многослойные конденсаторы радиоэлектронные компоненты, предназначенные для накопления электрического заряда. Они являются пасси

i

Конденсатор 75pF 50v

200 ₽

Керамические выводные многослойные конденсаторы радиоэлектронные компоненты, предназначенные для накопления электрического заряда. Они являются пасси

i

Конденсатор 10nF 50v

200 ₽

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность Pc): 135 W Макcимально допустимое напряжение коллекторбаза Ucb): 38 V Макcимально

i

Транзистор MRF650

1 680 ₽

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллекторбаза Ucb): 1200 V Макcималь

i

Транзистор BUV48C

476 ₽

Оптопара или оптрон электронный прибор, состоящий из излучателя света обычно светодиод, в ранних изделиях миниатюрная лампа накаливания) и фотоприм

i

Оптопара PC123

200 ₽

Керамические выводные многослойные конденсаторы радиоэлектронные компоненты, предназначенные для накопления электрического заряда. Они являются пасси

i

Конденсатор 47pF 50v

200 ₽

Максимальное напряжение насыщения коллекторэмиттер 1,1 В Максимальная рабочая температура 43;150 C Максимальная рабочая частота 100 МГц Количество эле

i

Транзистор 2SD882

200 ₽

Структура npn Напряжение коллекторэмиттер, не более: 60 В Напряжение коллекторбаза, не более: 80 В Напряжение эмиттербаза, не более: 5 V Ток коллекто

i

Транзистор 2SD1761

200 ₽

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллекторбаза Ucb): 1500 V Макcимальн

i

Транзистор 2SD1433

247 ₽

Керамические выводные многослойные конденсаторы радиоэлектронные компоненты, предназначенные для накопления электрического заряда. Они являются пасси

i

Конденсатор 6pF 50v

200 ₽

Маркировка: 26 Тип материала: Si Полярность: PreBiasedNPN Встроенный резистор цепи смещения R1 61; 47 kOhm Встроенный резистор цепи смещения R2 61; 47

i

Транзистор DTC144ES

200 ₽

Структура pnp Напряжение коллекторэмиттер, не более: 100 В Напряжение коллекторбаза, не более: 100 В Напряжение эмиттербаза, не более: 5 V Ток коллек

i

Транзистор TIP42C

200 ₽

Ноги BCE кремниевый, эпитаксильнопланарный биполярный транзистор npn проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборо

i

Транзистор MJE13001 упаковка 2 шт)

200 ₽

Сопротивление это величина, которая определяет способность резистора препятствовать протеканию тока в электрической цепи: чем больше сопротивление ре

i

Резистор 390 KОм 0.25 Ватт 10 штук

200 ₽

Керамические выводные многослойные конденсаторы радиоэлектронные компоненты, предназначенные для накопления электрического заряда. Они являются пасси

i

Конденсатор 56pF 50v

200 ₽

Оптопара или оптрон электронный прибор, состоящий из излучателя света обычно светодиод, в ранних изделиях миниатюрная лампа накаливания) и фотоприм

i

Оптопара 4N35

200 ₽

Максимальное обратное напряжение Uобр, В 600 Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс. повт. макс, В 600 Макс. среднее за период

i

Симистор BT137600EB

215 ₽

Керамические выводные многослойные конденсаторы радиоэлектронные компоненты, предназначенные для накопления электрического заряда. Они являются пасси

i

Конденсатор 2.2pF 50v

200 ₽

Структура npn Напряжение коллекторэмиттер, не более: 80 В Напряжение коллекторбаза, не более: 80 В Напряжение эмиттербаза, не более: 6 V Ток коллекто

i

Транзистор 2SD1266

200 ₽

Диод электронный элемент, обладающий различной проводимостью в зависимости от направления электрического тока. Электроды диода носят названия анод и

i

Диод S1WBS)60 1A.600V)

149 ₽

Diode Configuration Одинарный Максимальная рабочая температура 43;175 C Количество элементов на ИС 1 Длина 10.41мм Производитель Cree Тип корпуса TO22

i

Диод C3D08060 Шоттки

349 ₽

Наименование производителя: 2N4403 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение

i

2N4403

124 ₽

Energy Efficient, Low Power OffLine Switcher IC LNK364 Подробная информация о продукте Описание LinkSwitchXT включает в себя силовой MOSFET на 700 В,

i

LNK364PN микросхема

239 ₽

Датчики Холла серии 49E представляют собой небольшие универсальные устройства с линейным выходом, чувствительные к магнитному полю, работа которых осн

i

Датчик Холла OH49E SS49E, 49E)

140 ₽

Модуль расходомера, внутри которого находятся лопасти, вращающиеся под напором воды. Модуль работает благодаря датчику Холла, выдающем импульс при каж

i

Датчик расхода воды YFS201 130 лмин)

370 ₽

Микросхема серии LM324 недорогой операционный усилитель, имеющий прямой дифференциальный вход, внутричастотную компенсацию при единичном усилении и з

i

Микросхема LM324N

155 ₽

Этот усилитель звуковой частоты построен на микросхеме TDA7297. Отличительные особенности: микросхема TDA7297 уже смонтирована на теплоотводе выходн

i

Усилитель НЧ 2x15Вт на микросхеме TDA7297

490 ₽

Симистор BTA12600B симметричный тиристор) в корпусе TO220. Характеристики: Максимальное обратное напряжение Uобр: 600 ВМакс. повторяющееся импульсное

i

BTA12600B симистр

214 ₽

CBB60 3uF 450V SCREW SAIFU) Конденсатор пусковойТехнические параметры Глубина корпуса H) 60 ; резьбовой части 10 мм Диаметр корпуса D) 30 мм Допу

i

Пусковой конденсатор CBB60 3uF 3 мкФ) 450V SCREW SAIFU

343 ₽

Область применения пусковых конденсаторов работа в цепях обмоток электродвигателей систем вентиляции, кондиционирования, компрессоров холодильного об

i

Пусковой конденсатор CBB60 15uF 450V SAIFU)

440 ₽

Модуль зарядки для Liion аккумуляторов на микросхемах 8205A, контролерах уровня заряда. Модуль предназначен для одновременной зарядки 2х Liion аккумул

i

Модуль заряда аккумуляторов BMS 2S 3A

153 ₽

Область применения пусковых конденсаторов работа в цепях обмоток электродвигателей систем вентиляции, кондиционирования, компрессоров холодильного об

i

Пусковой конденсатор CBB60 3uF 450V SAIFU)

695 ₽

Характеристики: Материал pnперехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора Pc) транзистора: 0.31 W Пре

i

Транзистор 2N3906 PNP, 0.2А, 40В)

128 ₽

Bluetooth модуль HC05 на основе чипа BC417 от компании Cambridge Silicon Radio. На плате выведен стандартный UART интерфейс, используемый для управлен

i

Bluetooth модуль HC05 на плате)

499 ₽

Характеристики: Материал pnперехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора Pc) транзистора: 0.625 ВтПреде

i

Транзистор MPSA92 TO92

127 ₽