Название Оперативная память Kingston 16GB 3200MHz CL22 KSM32RS416HDR). Категория Модули памяти. Тип памяти DDR4. Формфактор DIMM 288контактный. Тактов
Оперативная память для компьютера Kingston KSM HDR DIMM 16Gb DDR4 3200 MHz KSM32RS416HDR
i
Модуль памяти Память DIMM DDR3 4Gb PC12800 1600MHz CL11 Netac 1.5V NTBSD3P16SP04) Activate to Precharge Delay tRAS) 28 CAS Latency CL) 11 массакг
Оперативная память Netac 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 NTBSD3P16SP04
i
DHEIGHT 22 DLENGTH 46 DWIDTH 40 EANUPCCode 6926337231181 Errorcorrecting code ECC) Нет Буферизованная Registered) Нет Объем, ГБ 8 GB Раб
Оперативная память Netac Basics 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 NTBSD3P16SP08
i
Для корректной работы вашего персонального компьютера выбирайте модуль памяти CRUCIAL Basics CB16GU2666 DDR4 с формфактором DIMM. Объем модуля в 16 Гб
Память DDR4 DIMM 16Gb, 2666MHz Crucial CB16GU2666)
i
Рассматриваемый здесь модуль памяти KINGMAX KMSD426668GS подойдет для апгрейда вашего ноутбука. Формфактор, в котором выполнено рассматриваемое издели
Оперативная память Kingmax 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL17 KMSD426668GS
i
Модуль памяти Netac NTBSD3N16SP08 это один из элементов без которых не обойдтся ни один компьютер. От объма оперативной памяти напрямую зависит скоро
Оперативная память Netac Basics 8 ГБ DDR3L 1600 МГц SODIMM CL11 NTBSD3N16SP08
i
Оперативная память Samsung разработана для того, чтобы помочь Вашей системе работать быстрее и плавнее. Серия DDR4 SODIMM предлагает самую быструю ско
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR4 2133 МГц SODIMM CL15 M471A5143DB0CPB
i
Kingston инвестирует миллионы в разработку и тестирование своих модулей сегодня, чтобы вы могли уменьшить совокупную стоимость владения завтра. Благод
Оперативная память Kingston 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 KSM32RS88HDR
i
Скажите 34;да34; улучшению производительности вашего компьютера с помощью оперативной памяти QUMO DDR3 DIMM 4GB PC310600) 1333MHz QUM3U4G1333C9. Этот
Оперативная память Qumo 4 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9 QUM3U4G1333C9
i
Оперативная память Netac Basic соответствует стандарту DDR4. Она выпущена в формфакторе DIMM и подходит для установки в офисные и домашние компьютеры.
Оперативная память Netac 8 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 NTBSD4P26SP08
i
БрендKINGSTONТип памятиDDR3Объем8192Частотная спецификация1600Количество в упаковке1Тип поставкиRetФормфакторSODIMMБуферизацияunbufferedКоличество кон
Оперативная память Kingston Value 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 KVR16S118WP
i
Артикул 906185 Оперативная память Foxline FL3200D4S2216G компактное решение емкостью 16 ГБ в формате SODIMM, которое может использоваться для миниат
Оперативная память Foxline 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 FL3200D4S2216G
i
Оперативная память Foxline FL3200D4S2232G компактное решение емкостью 32 ГБ в формате SODIMM, которое может использоваться для миниатюрных настольных
Оперативная память Foxline 32 ГБ DDR4 3200 МГц OEM SODIMM CL22 FL3200D4S2232G
i
Activate to Precharge Delay tRAS) CAS Latency CL) 22 массакг) 0.06 GTD Number 100050302308223226339 GTIN 04897062320032 Cтранапроизводитель
Оперативная память Qumo 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 32552
i
Общие параметрыМодельQUMOКод производителяQUM4U16G3200P22Год релиза2021Объем и состав комплектаТип памятиDDR4Формфактор памятиDIMMРегистровая памятьне
Qumo DDR4 Dimm 16GB QUM4U16G3200P22 Pc425600, 3200MHz .
i
Память DIMM DDR2 2Gb 800Mhz Hynix Original это качественный модуль памяти, который обеспечивает высокую производительность и надежность.Память DDR2 и
Оперативная память Hynix 2 ГБ DDR2 800 МГц DIMM
i
Модель HKED3081BAA2A0ZA18G Количество контактов 240pin Показатель скорости PC312800 Скорость тест) 1600МГц Напряжение тест) 1.5В Латентность
Оперативная память Hikvision 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 HKED3081BAA2A0ZA18G
i
Модуль памяти Netac Basic DDR4 DIMM 4Gb 2666МГц CL19 NTBSD4P26SP04)Назначение: для десктопов DDR4. вес брутто: . вес нетто товара: . Напряжение: 1.2 v
Оперативная память Netac 4 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 NTBSD4P26SP04
i
Модуль памяти Netac NTBSD4P26SP16 это один из элементов без которых не обойдтся ни один компьютер. От объма оперативной памяти напрямую зависит скоро
Оперативная память Netac 16 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 NTBSD4P26SP16
i
Продаем оперативную память Samsung DDR4 8Gb 3200MHz M471A1G44AB0CWE OEM PC425600 CL19 SODIMM. Этот товар относится к категории Память и является незам
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM M471A1G44AB0CWE
i
МодельCorsair Vengeance LPXКод производителяCMK64GX4M2E3200C16Год релиза2017Объем и состав комплектаТип памяти DDR4Формфактор памяти DIMMРегистровая п
Оперативная память Corsair Vengeance LPX 64 ГБ 32 ГБ x 2 шт.) DDR4 3200 МГц DIMM CL16 CMK64GX4M2E3200C16
i
Память DDR4 2x8Gb 3200MHz Corsair CMH16GX4M2E3200C16 Vengeance RGB Pro RTL Gaming PC425600 CL16 DIMM 288pin 1.35В IntelПараметры:Бренд: CORSAIRСерия:
Модуль памяти Corsair VENGEANCE RGB PRO CMH16GX4M2E3200C16
i
Модель HKED4042BBA1D0ZA14G Количество контактов 260pin Показатель скорости PC421300 Скорость тест) 2666МГц Напряжение тест) 1.2В Латентность
Оперативная память Hikvision 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 HKED4042BBA1D0ZA14G
i
Модель HKED3041AAA2A0ZA14G Количество контактов 240pin Показатель скорости PC312800 Скорость тест) 1600МГц Напряжение тест) 1.5В Латентность
Оперативная память Hikvision 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 HKED3041AAA2A0ZA14G
i
Модель HKED4161DAB1D0ZA116G Количество контактов 288pin Показатель скорости PC421300 Скорость тест) 2666МГц Напряжение тест) 1.2В Латентност
Оперативная память Hikvision 16 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 HKED4161DAB1D0ZA116G
i
Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для сервера; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR4; Объм: 128Gb; О
Оперативная память Micron 128 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL22 MTA144ASQ16G72PSZ2S6E1
i
ХарактеристикиПроизводительKingstonМодельKSM29RS88HDRТип оборудованияОперативная памятьЧастота MHz)DDR4 2933Тип модуляDIMMОбъем одного модуля ГБ)8Кол
Оперативная память Kingston 8 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 KSM29RS88HDR
i
Серверная оперативная память Kingston из серии Server Premier предназначена для эксплуатации в составе рабочих станций и серверного оборудования. Она
Оперативная память Kingston 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 KSM32ES88HD
i
Наименование: Оперативная память Kingston Server Premier DDR4 16GB RDIMM 3200MHz ECC Registered 1Rx8, 1.2V Micron E Rambus), 1 yearАртикул: KSM32RS816
Оперативная память Kingston 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 KSM32RS816MER
i
Производитель Foxline Стандарт DDR3 Формфактор DIMM Объем одного модуля 4 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем 4 ГБ
Оперативная память Foxline 4 ГБ DDR3 1333 МГц DIMM CL9 FL1333D3U9S4G
i
CAS Latency CL) 19 массакг) 0.06 GTD Number 100050300305233115420 GTIN 00740617312188 Cтранапроизводитель Китай Партномер KSM26ED816HD Вес
Оперативная память Kingston 16 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 KSM26ED816HD
i
Формфактор: DIMMЧастотная спецификация: 2666Буферизация: unbufferedТип: Оперативная памятьПоказатель скорости: PC421300Количество контактов: 288pinЛат
Оперативная память Hikvision 8 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 HKED4081CBA1D0ZA18G
i
. adparpropertylist width:100; margin:0px 0px 0px; color:555; . adparpropertylist td verticalalign: bottom; fontsize:13px; verticalalign: top; back
Оперативная память Kingston 8 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 KSM26RS88HDI
i
Модель HKED3082BAA2A0ZA18G Количество контактов 204pin Показатель скорости PC312800 Скорость тест) 1600МГц Напряжение тест) 1.35В Латентност
Оперативная память Hikvision 8 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 HKED3082BAA2A0ZA18G
i
Модель TFK445BPRJ Бренд PRINTRITE PartNumberАртикул Производителя PRTK1130 Цвет картриджа черный Модель оригинального картриджа TK1130 Ориги
Оперативная память Qumo 16 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL16 QUM4U16G2666N19
i
Модуль памяти, Kingston, KSM26RS416HDI DDR4, 16GB, DIMM , ECC, RegСерверная оперативная память Kingston выполнена в стандарте DDR4, что гарантирует ув
Оперативная память Kingston Server Premier DDR4 16GB RDIMM 2666MHz ECC Registered 1Rx4, 1.2V Hynix D IDT), 1 year
i
Напряжение питания В): 1.2 ВСтандарт: DDR4Формфактор: DIMMОбъем одного модуля: 32 ГБКоличество модулей в комплекте: 1 штСуммарный объем: 32 ГБЭффектив
Оперативная память Kingston 32 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 KSM26RS432MEI
i
Заводские данные Гарантия продавца производителя 120 мес. Странапроизводитель Мексика Общие параметры Тип оперативная память Модель Crucial
Оперативная память Crucial 4 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 CB4GU2666
i
Название товара: Модуль оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 1; Тип модуля памяти: DDR4; Объм: 8Gb;
Оперативная память Hynix 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 HMA81GU6CJR8NXN
i
Модель KSM32RD432HDR Бренд KINGSTON PartNumberАртикул Производителя KSM32RD432HDR Тип DDR4 Емкость одного модуля 32768 Количество модулей 1
Оперативная память Kingston 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 KSM32RD432HDR
i
Напряжение питания В): 1.2 ВСтандарт: DDR4Формфактор: DIMMОбъем одного модуля: 8 ГБКоличество модулей в комплекте: 1 штСуммарный объем: 8 ГБЭффективна
Оперативная память Kingston 8 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 KSM26ES88HD
i
Модель HMAA8GR7AJR4NWMT4 Бренд HYNIX PartNumberАртикул Производителя HMAA8GR7AJR4NWMT4 Тип DDR4 Емкость одного модуля 65536 Количество модул
Оперативная память Hynix 64 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 HMAA8GR7AJR4NWM
i
массакг) 0.04 GTD Number 100050302601233021511 GTIN 04895230601242 Cтранапроизводитель китай Партномер QUM4S4G2666C19 Вес грамм) 12 высота
Оперативная память Qumo 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 QUM4S4G2666C19
i
CAS Latency CL) 19 массакг) 0.06 GTD Number 100050302404223138043 GTIN 04895230600078 Cтранапроизводитель китай Партномер QUM4S16G2666P19
Оперативная память Qumo 16 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 QUM4S16G2666P19
i
Бренд: KINGSTON Тип: DDR4 Емкость одного модуля: 16384МБ Количество модулей: 1 Формфактор: DIMM Error Checking and Correction ECC): ДА Буферизация: re
Оперативная память Kingston 16 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 KSM26RD816HDI
i
Напряжение питания В): 1.2 ВСтандарт: DDR4Формфактор: UDIMMВид поставки: OEMОбъем одного модуля: 8 ГБКоличество модулей в комплекте: 1 штСуммарный объ
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL19 M378A1K43DB2CVF
i
8гигабайтная оперативная память Apacer AU08GFA60CATBGJ производится для удовлетворения потребностей пользователей, эксплуатирующих системные блоки, ра
Оперативная память Apacer 8 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 AU08GFA60CATBGJ
i
Характеристики Synology D4ES018G Артикул производителя Part Number) D4ES018G Основные характеристики Стандарт DDR4 Формфактор SODIMM Объем одного моду
Оперативная память Synology 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 D4ES018G
i
Activate to Precharge Delay tRAS) CAS Latency CL) 19 массакг) 0.04 GTD Number 100050302308223225273 GTIN 04895230600887 Cтранапроизводитель
Оперативная память Qumo 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 QUM4S8G2666P19
i
Модуль памяти Samsung M393A8G40AB2CWE 64G DDR4 DIMM ECC Reg PC425600CL22вес брутто: 1 КГ. вес нетто товара: 1 КГ. Гарантийный срок: 36 МЕС. Напряжение
Оперативная память Samsung 64 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A8G40AB2CWECQ
i
Производитель Crucial Тип DDR4 PartNumberАртикул Производителя MTA36ASF8G72PZ3G2E1 Формфактор DIMM Тип памяти DDR4 Количество модулей 1 Количество кон
Оперативная память Micron 64 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 MTA36ASF8G72PZ3G2E1
i
Модуль памяти Samsung DDR4 32GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 2R x 8 1.2V (M393A4G43AB3-CWE)
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 3200MHz DIMM 288pin CL22 M393A4G43AB3CWE
i
Оперативная память Transcend DDR4 32Gb 3200MHz pc25600 JM3200HLE32G)Модули памяти Transcend JetRam производятся на базе фирменных микросхем DRAM класс
Модуль памяти Transcend JM3200HLE32G
i
Для хранения данных выбирайте модуль памяти SAMSUNG M378A2G43AB3CWE DDR4 с формфактором DIMM. Объем модуля 16 Гб позволяет использовать его в качестве
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM M378A2G43AB3CWE
i
Артикул 1002236 Компактные модули памяти CORSAIR VENGEANCE RGB PRO SL DDR4 высотой 44 мм обеспечат вашему ПК динамичную RGBподсветку с возможностью
Оперативная память Corsair Vengeance RGB PRO 16 ГБ 8 ГБ x 2 шт.) DDR4 4000 МГц DIMM CL18 CMW16GX4M2Z4000C18
i
Гарантия: 24 месяцевТип памяти: RegistredФормфактор: DIMMСтандарт памяти: DDR3Объем одного модуля, ГБ: 8Количество модулей в комплекте, шт: 1Суммарный
Оперативная память Apacer 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 78.C1GEY.4010C
i
288pin контактов, формфактор DIMM, напряжение 1.2 В и латентность CL19 все это и многое другое объединяет память Kingmax KMLD426668GS RTL. Она обеспе
Модуль памяти Kingmax KMLD426668GS
i
Модуль памяти Apacer AU16GGB26CQYBGH это один из элементов без которых не обойдтся ни один компьютер. От объма оперативной памяти напрямую зависит ск
Оперативная память Apacer 16 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 AU16GGB26CQYBGH
i
Артикул производителяM393B1K70DH0YK0БрендSamsungКод товара100024702753Основные характеристикиНазначениедля сервераФормфакторDIMMТип памятиDDR3Частота,
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 M393B1K70DH0YK0
i
Характеристики Samsung M393A2K40DB3CWE Артикул производителя Part Number) M393A2K40DB3CWE Основные характеристики Стандарт DDR4 Формфактор RDIMM Объем
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A2K40DB3CWEBY
i
Характеристики Samsung M393A4K40DB3CWE Артикул производителя Part Number) M393A4K40DB3CWE Основные характеристики Стандарт DDR4 Формфактор RDIMM Объем
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A4K40DB3CWEBQ
i
Оперативная память RDIMM Samsung 8 ГБ DDR4 M393A1K43DB2CWEGY) Внешний вид иили характеристики товара могут быть изменены производителем в соответствии
Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A1K43DB2CWEGY
i
Оперативная память SODIMM Samsung M471A1K43DB1CWE великолепно подходит для комплектации ноутбуков и миниПК, рассчитанных на достижение общего уровня п
Память DDR4 SODIMM 8Gb, 3200MHz Samsung M471A1K43DB1CWE)
i
Модули памяти Transcend JetRam производятся на базе фирменных микросхем DRAM класса ETT, которые проходят тщательный отбор и тестирование в различных
Оперативная память Transcend JetRam 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 JM3200HSB8G
i
Модули памяти Transcend JetRam производятся на базе фирменных микросхем DRAM класса ETT, которые проходят тщательный отбор и тестирование в различных
Оперативная память Transcend JetRam 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 JM3200HLB8G
i
CAS Latency CL) 16 массакг) 0.1 GTD Number 100050302103233070797 GTIN 04711174723522 Cтранапроизводитель тайвань китай) Партномер D4EC26668
Оперативная память Synology 8 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL16 D4EC26668G
i
Базовые характеристикиТип памятиRegistredФормфакторDIMMСтандарт памятиDDR4Объем одного модуля8Количество модулей в комплекте1Суммарный объем8Эффективн
Оперативная память Micron 8 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 MTA9ASF1G72PZ2G9
i
Модель KVR26N19S68 Количество контактов 288pin Показатель скорости PC421300 Скорость тест) 2666МГц Напряжение тест) 1.2В Задержка тест) 191
Оперативная память Kingston 8 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 KVR26N19S68
i
Модель KED4162DAB1D0ZA116G Количество контактов 260pin Показатель скорости PC421300 Скорость тест) 2666МГц Напряжение тест) 1.2В Латентность
Оперативная память Hikvision 16 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 HKED4162DAB1D0ZA116G
i
Бренд: CORSAIRСерия: Vengeance LPXТип памяти: DDR4Частотная спецификация: 3200Количество в упаковке: 1Тип поставки: RetФормфактор: DIMMБуферизация: un
Оперативная память Corsair Vengeance LPX 8 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL16 CMK8GX4M1E3200C16
i
CAS Latency CL) 19 массакг) 0.06 GTD Number 100050302104233103862047 GTIN 00740617311341 Cтранапроизводитель Китай Партномер KVR26S19S68 R
Оперативная память Kingston ValueRAM 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 KVR26S19S68
i
Напряжение питания В): 1.35 ВСтандарт: DDR4Формфактор: DIMMОбъем одного модуля: 16 ГБКоличество модулей в комплекте: 1 штСуммарный объем: 16 ГБЭффекти
Оперативная память Crucial Ballistix 16GB 3200MHz CL16 BL16G32C16U4W)
i
Два модуля по 16 Гб объединяет комплект CORSAIR Vengeance RGB Pro CMW32GX4M2Z3600C18. Планки выполнены в формфакторе DIMM и имеют по 288pin контактов.
Оперативная память Corsair Vengeance RGB PRO 32 ГБ 16 ГБ x 2 шт.) DDR4 3600 МГц DIMM CL18 CMW32GX4M2Z3600C18
i
Оперативная память DDR4 Samsung 16Gb 3200MHz представляет собой высококачественный компонент, обеспечивающий эффективную работу вашей системы. С общим
Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM M471A2K43DB1CWE
i
Synology D4ECSO266616G модуль памяти объемом 16 Гб. Выполнен в формфакторе SODIMM, соответствует DDR42666, поддерживает ECC. Предназначен для установ
Оперативная память Synology 16 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM D4ECSO266616G
i
Серверная оперативная память Micron MTA36ASF8G72PZ2G9E1 предназначена для использования с серверным оборудованием и рабочими станциями. Память Micron
Оперативная память Micron 64 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 MTA36ASF8G72PZ2G9E1
i
Есть простое лекарство от медленного компьютера: больше памяти. Память ноутбука Crucial, разработанная для ускорения и обеспечения бесперебойной работ
Оперативная память Crucial 32 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 CT32G4SFD832A
i
Откройте новые горизонты производительности своего компьютера с оперативной памятью Transcend 8GB DDR4 UDIMM. Благодаря тактовой частоте 2666 МГц быст
Модуль памяти Transcend 8GB UDIMM DDR4, 2666МГц, 1Rx16 CL19 1.2V
i
Оперативная память UDIMM Transcend JetRam JM2666HLE16G) 16 ГБ обязательно станет надежным и верным помощником, если вам нужно оснастить систему больши
Оперативная память Transcend 16 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM JM2666HLE16G
i
Модуль памяти CRUCIAL CT32G4DFD832A имеет память стандарта DDR4. Он может стать незаменимой вещью для вашего компьютера, а также обеспечит высокое быс
Оперативная память Crucial 32 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 CT32G4DFD832A
i
Оперативная память SODIMM Crucial CT16G4SFRA32A с емкостью 16 ГБ представляет собой производительный модуль, который отлично подойдет для игровых сист
Модуль памяти SODIMM DDR4 16GB Crucial CT16G4SFRA32A PC425600 3200MHz CL22 260pin 1.2V
i
Activate to Precharge Delay tRAS) CAS Latency CL) 22 массакг) 0.04 GTD Number 1000503021062331652122 GTIN 00649528903624 Cтранапроизводител
Оперативная память Crucial 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 CT16G4DFRA32A
i
. adparpropertylist width:100; margin:0px 0px 0px; color:555; . adparpropertylist td verticalalign: bottom; fontsize:13px; verticalalign: top; back
Оперативная память Crucial 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 CT8G4SFRA32A
i
Основные характеристикиМодель D4NESO26664GТип оборудования Оперативная памятьЧастота MHz) DDR4 2666Тип модуля SODIMMОбъем одного модуля ГБ) 4Количест
Оперативная память Synology 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL17 D4NESO26664G
i
Название товара: Комплект из 2х модулей оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 2; Тип модуля памяти: D
Оперативная память Thermaltake TOUGHRAM RC 16 ГБ 8 ГБ x 2 шт.) DDR4 4000 МГц DIMM CL19 RA24D408GX24000C19A
i
Название товара: Комплект из 2х модулей оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 2; Тип модуля памяти: D
Оперативная память Thermaltake TOUGHRAM RC 16 ГБ 8 ГБ x 2 шт.) DDR4 4400 МГц DIMM CL19 RA24D408GX24400C19A
i
Название товара: Комплект из 2х модулей оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 2; Тип модуля памяти: D
Оперативная память Thermaltake TOUGHRAM RC 16 ГБ 8 ГБ x 2 шт.) DDR4 3600 МГц DIMM CL18 RA24D408GX23600C18A
i
Оперативная память Crucial CT8G4DFRA32A обладает емкостью 8 ГБ и отличается высоким быстродействием, благодаря чему может стать отличным выбором для и
Модуль памяти Crucial CT8G4DFRA32A
i
Оперативная память Crucial CT8G4DFRA266 CT8G4DFRA266 имеет емкость 8 ГБ и представляет собой производительное решение для использования в игровых и ра
Оперативная память Crucial 8 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 CT8G4DFRA266.C8FN
i
Доступный по стоимости модуль памяти KINGMAX KMLD4266616GS выполнен в формфакторе DIMM. Тип памяти тут DDR4. Количество контактов составляет 288pin. О
Оперативная память Kingmax 16 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 KMLD4266616GS
i
Модель CT8G4SFRA266 Количество контактов 260pin Показатель скорости PC421300 Скорость тест) 2666МГц Напряжение тест) 1.2В Задержка тест) 19
Оперативная память Crucial 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 CT8G4SFRA266
i
DHEIGHT 1 DLENGTH 18 DWIDTH 10 EANUPCCode 760557843597 Errorcorrecting code ECC) Нет Буферизованная Registered) Нет Объем, ГБ 16 GB Рабо
Оперативная память Transcend 16 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 JM2666HLB16G
i
Оперативная память SODIMM Transcend JM2666HSB16G отличается высокой производительностью в компактном корпусе, благодаря чему подходит для модернизации
Оперативная память Transcend 16 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 JM2666HSB16G
i
Activate to Precharge Delay tRAS) 40 CAS Latency CL) 19 массакг) 0.04 GTD Number 100050300606233149680 GTIN 04712389904270 Cтранапроизводите
Оперативная память Apacer 4 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 EL.04G2V.KNH
i
Серверная оперативная память Micron MTA36ASF4G72PZ2G9E2VI способна обеспечить быструю и стабильную обработку различных приложений при экономичном потр
Оперативная память Micron 32 ГБ DDR4 2933 МГц RDIMM CL21 MTA36ASF4G72PZ2G9E2
i
Оперативная память SODIMM Samsung M471A4G43AB1CWE впечатляет внушительным объемом: величина данного показателя равна 32 ГБ. Модуль, в первую очередь п
Оперативная память Samsung 32 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 M471A4G43AB1CWEDY
i
Название товара: Комплект из 2х модулей оперативной памяти; Назначение: для компьютера; Количество модулей памяти в комплекте: 2; Тип модуля памяти: D
Оперативная память Thermaltake TOUGHRAM RGB 16 ГБ 8 ГБ x 2 шт.) DDR4 4600 МГц DIMM CL19 R009D408GX24600C19A
i
Гарантия: 12 мес.Формфактор: DIMMШирина: 133.35, ммВысота: 31.25, ммКомплект поставки: Модуль памятиСсылка на описание: lenovopress. lenovo. comПропус
Оперативная память Lenovo 64 ГБ DDR4 2933 МГц DIMM CL21 4ZC7A08710
i
Оперативная память для ноутбуков, моноблоков и других устройств в разъемом SoDimmСовместимые модели:Hynix HMT351S6CFR8CPB N0 AAHynix HMT351S6EFR8CPB N
Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 HMT351S6EFR8CPB
i
Модуль памяти Apacer DDR4 DIMM 8GB EL.08G2V. GNH PC421300, 2666MHz AU08GGB26CQYBGH) RTLOEM Activate to Precharge Delay tRAS) 40 CAS Latency CL) 19
Оперативная память Apacer 8 ГБ DDR4 2666 МГц DIMM CL19 EL.08G2V.GNH
i
Этот сайт использует файлы cookie. Нажимая, вы соглашаетесь с нашей Политикой конфиденциальности.