Модуль памяти Patriot Signature Line Premium PSP48G320081H1
Производитель:
Отзывы: 0
1 589 ₽
Общие характеристики
- Тип памяти:DDR4
- Форм-фактор:DIMM 288-контактный
- Тактовая частота:3200 МГц
- Пропускная способность:25600 МБ/с
- Объем:1 модуль 8 ГБ
- Поддержка ECC:нет
- Буферизованная (Registered):нет
- Низкопрофильная (Low Profile):нет
Тайминги
- Тип памяти:DDR4
- Форм-фактор:DIMM 288-контактный
- Тактовая частота:3200 МГц
- Пропускная способность:25600 МБ/с
- Объем:1 модуль 8 ГБ
- Поддержка ECC:нет
- Буферизованная (Registered):нет
- Низкопрофильная (Low Profile):нет
- CAS Latency (CL):22
- RAS to CAS Delay (tRCD):22
- Row Precharge Delay (tRP):22
- Activate to Precharge Delay (tRAS):52
Дополнительно
- Тип памяти:DDR4
- Форм-фактор:DIMM 288-контактный
- Тактовая частота:3200 МГц
- Пропускная способность:25600 МБ/с
- Объем:1 модуль 8 ГБ
- Поддержка ECC:нет
- Буферизованная (Registered):нет
- Низкопрофильная (Low Profile):нет
- CAS Latency (CL):22
- RAS to CAS Delay (tRCD):22
- Row Precharge Delay (tRP):22
- Activate to Precharge Delay (tRAS):52
- Напряжение питания:1.2 В
- Радиатор:есть
- Количество ранков:1
- Гарантийный срок:1 г.
Название Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Patriot Memory Signature Premium PSP48G320081H1. Категория Модули памяти. Тип памяти DDR4. Формфактор DIMM 288контактный. Тактовая частота 3200 МГц. Пропускная способность 25600 МБс. Объем 1 модуль 8 ГБ. Поддержка ECC нет. Буферизованная Registered) нет. Низкопрофильная Low Profile) нет. CAS Latency CL) 22. RAS to CAS Delay tRCD) 22. Row Precharge Delay tRP) 22. Activate to Precharge Delay tRAS) 52. Напряжение питания 1.2 В. Радиатор есть. Количество ранков 1.
История стоимости товара
Указана минимальная стоимость товара за период и разница по сравнению с предыдущим периодом.
Рекомендуем посмотреть
