Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL22 M393A2K40DB3CWEBY
Производитель: Samsung
Отзывы: 0
7 650 ₽
Общие характеристики
- Тип памяти:DDR4
- Форм-фактор:DIMM 288-контактный
- Тактовая частота:3200 МГц
- Пропускная способность:25600 МБ/с
- Объем:1 модуль 16 ГБ
- Поддержка ECC:есть
- Буферизованная (Registered):да
- Низкопрофильная (Low Profile):нет
Тайминги
- Тип памяти:DDR4
- Форм-фактор:DIMM 288-контактный
- Тактовая частота:3200 МГц
- Пропускная способность:25600 МБ/с
- Объем:1 модуль 16 ГБ
- Поддержка ECC:есть
- Буферизованная (Registered):да
- Низкопрофильная (Low Profile):нет
- CAS Latency (CL):22
- RAS to CAS Delay (tRCD):22
- Row Precharge Delay (tRP):22
Дополнительно
- Тип памяти:DDR4
- Форм-фактор:DIMM 288-контактный
- Тактовая частота:3200 МГц
- Пропускная способность:25600 МБ/с
- Объем:1 модуль 16 ГБ
- Поддержка ECC:есть
- Буферизованная (Registered):да
- Низкопрофильная (Low Profile):нет
- CAS Latency (CL):22
- RAS to CAS Delay (tRCD):22
- Row Precharge Delay (tRP):22
- Напряжение питания:1.2 В
- Количество ранков:1
- Срок службы:12 мес.
- Гарантийный срок:6 мес.
Характеристики Samsung M393A2K40DB3CWE Артикул производителя Part Number) M393A2K40DB3CWE Основные характеристики Стандарт DDR4 Формфактор RDIMM Объем одного модуля 16 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем 16 ГБ Эффективная частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 Мбс Поддержка ECC Есть Буферизованная регистровая) Есть Низкопрофильная Нет Количество контактов 288 Количество ранков 1 Тайминги CAS Latency CL) 22 Дополнительные характеристики Напряжение питания 1.2 В Нормальная операционная температура Tcase) 75 C Расширенная операционная температура Tcase) 85 C Радиатор Нет
История стоимости товара
Указана минимальная стоимость товара за период и разница по сравнению с предыдущим периодом.
Рекомендуем посмотреть
