Увеличьте производительность своего ПК. SSD накопители Samsung серии 970 EVO отличаются скоростью, надежностью и широким диапазоном выбора емкости. Использование технологии V-NAND, нового контроллера Phoenix и интеллектуальной технологии Intelligent TurboWrite повышает плавность обработки динамичных сцен в ресурсоемких компьютерных играх и ускоряет редактирование 4K и 3D графики.
Оцените преимущества спецификации NVMe. SSD накопители серии 970 EVO существенно улучшают качество отображения динамичных сцен в ресурсоемких играх и ускоряют работу с потоковой графикой. Это обеспечивается благодаря использованию нового контроллера Phoenix и интеллектуальной технологии TurboWrite. Скорости последовательного чтения/записи накопителей серии 970 EVO составляют соответственно 3400/2500 MБ/сек.
В новое поколение NVMe SSD были внесены дополнительные улучшения. Теперь SSD накопители серии 970 EVO реализованы в форм-факторе M.2 (2280), что позволяет существенно увеличить объем информации, сохраняемой в накопителе и сэкономить место для других компонентов. Инновационная технология Samsung расширяет ваши возможности по хранению данных и позволяет параллельно повысить эффективность вашей работы.
Samsung поднял планку промышленного стандарта на долговечность SSD. Высокая надежность SSD серии 970 EVO обеспечивается использованием новейшей V-NAND технологии V-NAND и высочайшим качеством, присущим продукции компании Samsung.
Твердотельный накопитель Samsung 970 EVO 1000 GB MZV7E1T0BW
Производитель:
Отзывы: 0
18 200 ₽
Основные характеристики
- Емкость:1000 ГБ
- Назначение:для ноутбука и настольного компьютера
- Форм-фактор:2280
- Тип флэш-памяти:V-NAND 3-bit MLC
- Контроллер:Samsung Phoenix
Подключение
- Емкость:1000 ГБ
- Назначение:для ноутбука и настольного компьютера
- Форм-фактор:2280
- Тип флэш-памяти:V-NAND 3-bit MLC
- Контроллер:Samsung Phoenix
- Интерфейс PCI-E:есть
- Тип PCI-E:PCI-E 3.0 x4
- Разъем M.2:есть
Параметры накопителя
- Емкость:1000 ГБ
- Назначение:для ноутбука и настольного компьютера
- Форм-фактор:2280
- Тип флэш-памяти:V-NAND 3-bit MLC
- Контроллер:Samsung Phoenix
- Интерфейс PCI-E:есть
- Тип PCI-E:PCI-E 3.0 x4
- Разъем M.2:есть
- Скорость чтения:3400 МБ/с
- Скорость записи:2500 МБ/с
- Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ):450000 IOPS
- Суммарное число записываемых байтов (TBW):600 ТБ
- Поддержка секторов размером 4 КБ:есть
- Объем буфера:1024 МБ
- Шифрование данных:есть
- Поддержка TRIM:есть
- Поддержка NVMe:есть
- Время наработки на отказ:1500000 ч
- Ударостойкость при работе:1500 G
- Ударостойкость при хранении:1500 G
Дополнительно
- Емкость:1000 ГБ
- Назначение:для ноутбука и настольного компьютера
- Форм-фактор:2280
- Тип флэш-памяти:V-NAND 3-bit MLC
- Контроллер:Samsung Phoenix
- Интерфейс PCI-E:есть
- Тип PCI-E:PCI-E 3.0 x4
- Разъем M.2:есть
- Скорость чтения:3400 МБ/с
- Скорость записи:2500 МБ/с
- Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ):450000 IOPS
- Суммарное число записываемых байтов (TBW):600 ТБ
- Поддержка секторов размером 4 КБ:есть
- Объем буфера:1024 МБ
- Шифрование данных:есть
- Поддержка TRIM:есть
- Поддержка NVMe:есть
- Время наработки на отказ:1500000 ч
- Ударостойкость при работе:1500 G
- Ударостойкость при хранении:1500 G
- Потребляемая мощность:6 Вт
- Макс. рабочая температура:70° C
- Ширина:22 мм
- Высота:2.38 мм
- Длина:80 мм
- Вес:8 г
История стоимости товара
Указана минимальная стоимость товара за период и разница по сравнению с предыдущим периодом.
Рекомендуем посмотреть
