Оперативная память Qumo 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 QUM4S8G2666P19

Activate to Precharge Delay tRAS) CAS Latency CL) 19 массакг) 0.04 GTD Number 100050302308223225273 GTIN 04895230600887 Cтранапроизводитель китай Партномер QUM4S8G2666P19 RAS to CAS Delay tRCD) Row Precharge Delay tRP) Вес грамм) Высота мм) высотасм) 1 Габариты мм) гарантия 2 года длинасм) 7 Дополнительная информация Количество контактов 260 Количество модулей в комплекте шт) 1 Количество чипов на модуле Компоновка чипов на модуле Двусторонняя Линейка массакг) 0.04 Модель QUM4S8G2666P19 Напряжение В) 1.2 Низкопрофильная Нет Нормальная операционная температура Tcase) Общий объем памяти ГБ) 8 Объем одного модуля ГБ) 8 Описание Оперативная память QUM4S8G2666P19 от QUMO Поддержка ECC Нет Поддержка Reg Нет Поддержка водяного охлаждения Нет Подсветка Нет Потребление энергии Производитель Qumo Пропускная способность МБс) 19200 Радиатор Нет Расширенная операционная температура Tcase) Тайминги 19 Тип модуля SODIMM Тип оборудования Оперативная память Цвет разноцветный Частота MHz) DDR4 2666 Чип 1Gb x 8bit ширинасм) 4 . adparpropertylist width:100; margin:0px 0px 0px; color:555; . adparpropertylist td verticalalign: bottom; fontsize:13px; verticalalign: top;