Оперативная память Qumo 4 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 QUM3U4G1600K11L

Activate to Precharge Delay tRAS) 30 CAS Latency CL) 11 массакг) 0.04 GTD Number 100050301405233124829 GTIN 06909723201883 Cтранапроизводитель тайвань китай) Партномер QUM3U4G1600K11L RAS to CAS Delay tRCD) 11 Row Precharge Delay tRP) 11 Вес грамм) Высота мм) 30 высотасм) 1 Габариты мм) гарантия 2 года длинасм) 15 Дополнительная информация нет Количество контактов 240 Количество модулей в комплекте шт) 1 Количество чипов на модуле Компоновка чипов на модуле Двусторонняя Линейка массакг) 0.04 Модель QUM3U4G1600K11L Напряжение В) 1.35 Низкопрофильная нет Нормальная операционная температура Tcase) Общий объем памяти ГБ) 4 Объем одного модуля ГБ) 4 Описание Память QUM3U4G1600K11L от производителя QUMO Поддержка ECC Нет Поддержка Reg Нет Поддержка водяного охлаждения нет Подсветка нет Потребление энергии Производитель Qumo Пропускная способность МБс) 12800 Радиатор Нет Расширенная операционная температура Tcase) Тайминги 11111130 Тип модуля DIMM Тип оборудования Оперативная память Цвет разноцветный Частота MHz) DDR3 1600 Чип 256M x 8bit ширинасм) 4 . adparpropertylist width:100; margin:0px 0px 0px; color:555; . adparpropertylist td verticalalign: bottom; fontsize:13px