Транзистор 50T65FD1 Nканал 650В 100Амп корпус TO3P

Тип транзистора: IGBTМаркировка: 50T65FD1Тип управляющего канала: NМаксимальная рассеиваемая мощность Pc), W: 235Предельнодопустимое напряжение коллекторэмиттер Vce, V: 650Максимально допустимое напряжение эмиттерзатвор Vge, V: 20Максимальный постоянный ток коллектора Ic 64;25, A: 100Напряжение насыщения коллекторэмиттер типовое VCEsat), V: 2.2Максимальное пороговое напряжение затворэмиттер VGEth), V: 6.5Максимальная температура перехода Tj), : 150Время нарастания типовое tr), nS: 145Емкость коллектора типовая Cc), pf: 90Общий заряд затвора Qg), typ, nC: 145Тип корпуса: TO3P