Оперативная память Kingston 16 ГБ 8 ГБ x 2 шт.) DDR4 2666 МГц DIMM CL19 KVR26N19S8K216

КВР26Н19С8К216 представляет собой комплект двух 1G x 64бит 8 ГБ) DDR42666 CL19 SDRAM синхронный DRAM), 1Rx8, модуль памяти, на базе восьми 1G x 8bit FBGA составные части. Общий объем комплекта составляет 16 ГБ. SPD запрограммирован на стандартную задержку JEDEC DDR42666, время 191919 при 1,2 В. Каждый 288контактный модуль DIMM использует позолоченные контакты. Power Supply: VDD 61; 1.2V Typical VDDQ 61; 1.2V Typical VPP 61; 2.5V Typical VDDSPD 61; 2.2V to 3.6V Nominal and dynamic ondie termination ODT) for data, strobe, and mask signals Lowpower auto self refresh LPASR) Data bus inversion DBI) for data bus Ondie VREFDQ generation and calibration Singlerank Onboard I2 serial presencedetect SPD) EEPROM 16 internal banks; 4 groups of 4 banks each Fixed burst chop BC) of 4 and burst length BL) of 8 via the mode register set MRS) Selectable BC4 or BL8 onthefly OTF) Flyby topology Terminated control command and address bus PCB: Height 1.23 31.25mm) RoHS Compliant and HalogenFree