Транзистор 2SD882

Максимальное напряжение насыщения коллекторэмиттер 1,1 В Максимальная рабочая температура 43;150 C Максимальная рабочая частота 100 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения базаэмиттер 1,2 В Длина 7.8мм Transistor Configuration Одинарный Максимальное напряжение коллекторбаза 60 В Производитель STMicroelectronics Максимальное напряжение КЭ коллекторэмиттер) 30 V Тип корпуса SOT32 Максимальное рассеяние мощности 12,5 Вт Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия Минимальная рабочая температура 65 C Ширина 2.7мм Максимальный пост. ток коллектора 3 A Тип транзистора NPN Высота 10.8мм Число контактов 3 Размеры 10.8 x 7.8 x 2.7мм Максимальное напряжение эмиттербаза 5 В Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 30 Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 1.1 V Максимальная рабочая температура 43;150 C Maximum Operating Frequency 100 MHz Number of Elements per Chip 1 Maximum Base Emitter Saturation Voltage 1.2 V Length 7.8мм Transistor Configuration Одинарный Maximum Collector Base Voltage 60 V Brand STMicroelectronics Maximum Collector Emitter Voltage 30 V Package Type SOT32 Maximum Power Dissipation 12.5 W Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия Минимальная рабочая температура 65 C Ширина 2.7mm Maximum DC Collector Current 3 A Transistor Type NPN Высота 10.8mm Pin Count 3 Dimensions 10.8 x 7.8 x 2.7mm Maximum Emitter Base Voltage 5 V Minimum DC Current Gain 30 Вес, г 1.263