Модуль памяти AMD Radeon R744G2606S1SUO
Производитель:
Отзывы: 0
969 ₽
Общие характеристики
- Тип памяти:DDR4
- Форм-фактор:SODIMM 260-контактный
- Тактовая частота:2666 МГц
- Пропускная способность:21300 МБ/с
- Объем:1 модуль 4 ГБ
- Поддержка ECC:нет
- Поддержка XMP:нет
- Буферизованная (Registered):нет
- Низкопрофильная (Low Profile):нет
Тайминги
- Тип памяти:DDR4
- Форм-фактор:SODIMM 260-контактный
- Тактовая частота:2666 МГц
- Пропускная способность:21300 МБ/с
- Объем:1 модуль 4 ГБ
- Поддержка ECC:нет
- Поддержка XMP:нет
- Буферизованная (Registered):нет
- Низкопрофильная (Low Profile):нет
- CAS Latency (CL):16
- RAS to CAS Delay (tRCD):16
- Row Precharge Delay (tRP):16
- Activate to Precharge Delay (tRAS):36
Дополнительно
- Тип памяти:DDR4
- Форм-фактор:SODIMM 260-контактный
- Тактовая частота:2666 МГц
- Пропускная способность:21300 МБ/с
- Объем:1 модуль 4 ГБ
- Поддержка ECC:нет
- Поддержка XMP:нет
- Буферизованная (Registered):нет
- Низкопрофильная (Low Profile):нет
- CAS Latency (CL):16
- RAS to CAS Delay (tRCD):16
- Row Precharge Delay (tRP):16
- Activate to Precharge Delay (tRAS):36
- Количество чипов каждого модуля:8
- Напряжение питания:1.2 В
- Количество ранков:1
- Срок службы:12 мес.
- Гарантийный срок:2 г.
Подробные характеристикиОбщие характеристикиТип памятиDDR4ФормфакторSODIMM 260контактныйТактовая частота2666 МГцПропускная способность21300 МБсОбъем1 модуль 4 ГБПоддержка ECCнетПоддержка XMPнетБуферизованная Registered)нетНизкопрофильная Low Profile)нетТаймингиCAS Latency CL)16RAS to CAS Delay tRCD)16Row Precharge Delay tRP)16Activate to Precharge Delay tRAS)36ДополнительноКоличество чипов каждого модуля8Напряжение питания1.2 ВКоличество ранков1Перед покупкой уточняйте характеристики и комплектацию у продавца.Сообщить о неточности в описании
История стоимости товара
Указана минимальная стоимость товара за период и разница по сравнению с предыдущим периодом.
Рекомендуем посмотреть
