Твердотельный накопитель Samsung 1 ТБ M.2 MZN6E1T0BW
Производитель: Samsung
Отзывы: 0
17 599 ₽
Основные характеристики
- Емкость:1000 ГБ
- Назначение:для ноутбука и настольного компьютера
- Форм-фактор:2280
- Игровой:да
- Тип флэш-памяти:V-NAND 3-bit MLC
- Контроллер:Samsung MJX
Подключение
- Емкость:1000 ГБ
- Назначение:для ноутбука и настольного компьютера
- Форм-фактор:2280
- Игровой:да
- Тип флэш-памяти:V-NAND 3-bit MLC
- Контроллер:Samsung MJX
- Интерфейс SATA:SATA 6Gb/s
- Разъем M.2:есть
- Макс. скорость интерфейса:600 МБ/с
Параметры накопителя
- Емкость:1000 ГБ
- Назначение:для ноутбука и настольного компьютера
- Форм-фактор:2280
- Игровой:да
- Тип флэш-памяти:V-NAND 3-bit MLC
- Контроллер:Samsung MJX
- Интерфейс SATA:SATA 6Gb/s
- Разъем M.2:есть
- Макс. скорость интерфейса:600 МБ/с
- Скорость чтения:550 МБ/с
- Скорость записи:520 МБ/с
- Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ):88000 IOPS
- Суммарное число записываемых байтов (TBW):600 ТБ
- Поддержка секторов размером 4 КБ:есть
- Объем буфера:1024 МБ
- Шифрование данных:есть
- Поддержка TRIM:есть
- Время наработки на отказ:1500000 ч
- Ударостойкость при работе:1500 G
- Ударостойкость при хранении:1500 G
Дополнительно
- Емкость:1000 ГБ
- Назначение:для ноутбука и настольного компьютера
- Форм-фактор:2280
- Игровой:да
- Тип флэш-памяти:V-NAND 3-bit MLC
- Контроллер:Samsung MJX
- Интерфейс SATA:SATA 6Gb/s
- Разъем M.2:есть
- Макс. скорость интерфейса:600 МБ/с
- Скорость чтения:550 МБ/с
- Скорость записи:520 МБ/с
- Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ):88000 IOPS
- Суммарное число записываемых байтов (TBW):600 ТБ
- Поддержка секторов размером 4 КБ:есть
- Объем буфера:1024 МБ
- Шифрование данных:есть
- Поддержка TRIM:есть
- Время наработки на отказ:1500000 ч
- Ударостойкость при работе:1500 G
- Ударостойкость при хранении:1500 G
- Потребляемая мощность:3 Вт
- Макс. рабочая температура:70° C
- Ширина:22 мм
- Высота:2.38 мм
- Длина:80 мм
- Вес:8 г
Емкость: 1000ГБНазначение: Для ноутбука и настольного компьютераФормфактор: 2280Базовая единица: штПоддержка TRIM: естьВремя наработки на отказ: 1500000 чМакс. рабочая температура: 70 CШирина: 22ммВысота: 2.38ммДлина: 80ммЛинейка: 860 EVOКонтроллер: Samsung MJXУдаростойкость при работе: 1500 GУдаростойкость при хранении: 1500 GПотребляемая мощность: 3ВтВес: 8гСкорость случайной записи блоки по 4 КБ): 88000 IOPSОбъем буфера: 1024МБШифрование данных: естьРазъем M.2: естьИгровой: даТип флэшпамяти: TLC 3D NANDИнтерфейс SATA: SATA 6GbsМакс. скорость интерфейса: 600МБсСкорость чтения: 550МБсСкорость записи: 520МБсСуммарное число записываемых байтов TBW): 600 ТБПоддержка секторов размером 4 КБ: есть gt;
История стоимости товара
Указана минимальная стоимость товара за период и разница по сравнению с предыдущим периодом.
Рекомендуем посмотреть
