Процессор Intel Xeon E52650V2 Ivy BridgeEP LGA2011, 8 x 2600 МГц, OEM

Примечание:Товар бу) гарантия один год) строгое тестирование) отправлено в течение 48 часов)Технические характеристики Intel Xeon E52650 V2 Общая информацияТипПроцессормикропроцессорСегмент рынкаСерверСемьяIntel Xeon E52600 V2Номер модели E52650 V2Номера деталей процессораCM8063501375101 Это микропроцессор OEMлоткаBX80635E52650V2 Микропроцессор в штучной упаковкеЧастота 2600 МГцМаксимальная частота турбо3100 МГц 4 или более ядер) 3200 МГц 3 ядра) 3300 МГц 2 ядра) 3400 МГц 1 ядро)Скорость автобуса 8 ГТс QPI 4000 МГц) 5 ГТс DMIМножитель часов 26Пакет2011наземный массив сетки флипчипаРозеткаРазъем 2011 LGA2011Размеры2,07 дюйма x 1,77 дюйма5,25 см x 4,5 смДата введения10 сентября 2013 годаЦена при введении1166 OEM) 1171 коробка)Номера SspecНомер деталиПроцессоры ESQSПроизводственные процессорыQEN5Qf6xSR1A8BX80635E52650V243;CM806350137510143;43;43;АрхитектураМикроархитектураМикроархитектураМост плющаПлатформаРомлиEP РомлиWSЯдро процессора Мост ПлющаEPСтупенчатый сердечник M1 QEN5, QF6X, SR1A8)Cpuid306E4 SR1A8)Процесс производства0022 микронаШирина данных64 битКоличество ядер процессора8Количество потоков16Блок плавающей точкиИнтегрированныйРазмер кэша уровня 1 8x32 КБ 8позиционный набор ассоциативных кэшей инструкций 8x32 КБ 8позиционный набор ассоциативных кэшей данныхРазмер кэша 2го уровня 8x256 КБ 8позиционный ассоциативный кэшРазмер кэша 3го уровня20 МБФизическая память768 GB на розетку)МультипроцессорныйДо 2 процессоровРасширения и технологииMMX инструкцииSSEпотоковые расширения SIMDSSE2потоковые расширения SIMD 2SSE3потоковые расширения SIMD 3SSSE3Дополнительные потоковые расширения SIMD 3SSE4 SSE4.1 43; SSE4.2потоковые расширения SIMD 4 AESРасширенное шифрование Стандартные инструкцииAVXРасширенные векторные расширенияF16C16битные инструкции по преобразованию с плавающей точкойEM64TТехнология расширенной памяти 64Intel 64 NX XDВыполнить бит отключения Технология HT HyperThreading VTXТехнология виртуализации VTDвиртуализация для направленного вводавыводаTBT 2,0технология Turbo Boost 2,0 Технология TXT Trusted ExecutionХарактеристики низкой мощностиУсовершенствованная технология SpeedStep Интегрированные периферийные устройствакомпонентыИнтегрированная графикаНетКонтроллер памятиКоличество контроллеров: 1 Каналы памяти: 4 Поддерживаемая память: DDR3800, DDR31066, DDR31333, DDR31600, DDR31866 DIMM на канал: 3 Максимальная пропускная способность памяти ГБс): 59,7 Поддерживаемый ECC: ДаДругие периферийные устройстваИнтерфейс прямого мультимедиа 2,0Соединение быстрого пути 2 ссылки)Интерфейс PCI Express 3,0Электрическиетермальные параметрыВ ядро 0,651,3 ВМинимальнаяМаксимальная рабочая температура 5 C75 CРасчетная тепловая мощность 95 Вт