Hynix 4GB 1600MHz CL11 HMT451U6AFR8CPB)
Производитель:
Отзывы: 0
1 485 ₽
Общие характеристики
- Тип памяти:DDR3
- Форм-фактор:DIMM 240-контактный
- Тактовая частота:1600 МГц
- Пропускная способность:12800 МБ/с
- Объем:1 модуль 4 ГБ
- Поддержка ECC:нет
- Поддержка XMP:нет
- Буферизованная (Registered):нет
- Низкопрофильная (Low Profile):нет
Тайминги
- Тип памяти:DDR3
- Форм-фактор:DIMM 240-контактный
- Тактовая частота:1600 МГц
- Пропускная способность:12800 МБ/с
- Объем:1 модуль 4 ГБ
- Поддержка ECC:нет
- Поддержка XMP:нет
- Буферизованная (Registered):нет
- Низкопрофильная (Low Profile):нет
- CAS Latency (CL):11
- RAS to CAS Delay (tRCD):11
- Row Precharge Delay (tRP):11
Дополнительно
- Тип памяти:DDR3
- Форм-фактор:DIMM 240-контактный
- Тактовая частота:1600 МГц
- Пропускная способность:12800 МБ/с
- Объем:1 модуль 4 ГБ
- Поддержка ECC:нет
- Поддержка XMP:нет
- Буферизованная (Registered):нет
- Низкопрофильная (Low Profile):нет
- CAS Latency (CL):11
- RAS to CAS Delay (tRCD):11
- Row Precharge Delay (tRP):11
- Количество чипов каждого модуля:8, односторонняя упаковка
- Напряжение питания:1.5 В
- Количество ранков:1
Название Оперативная память 4 ГБ 1 шт. Hynix HMT451U6AFR8CPB. Категория Модули памяти. Тип памяти DDR3. Формфактор DIMM 240контактный. Тактовая частота 1600 МГц. Пропускная способность 12800 МБс. Объем 1 модуль 4 ГБ. Поддержка ECC нет. Поддержка XMP нет. Буферизованная Registered) нет. Низкопрофильная Low Profile) нет. CAS Latency CL) 11. RAS to CAS Delay tRCD) 11. Row Precharge Delay tRP) 11. Количество чипов каждого модуля 8, односторонняя упаковка. Напряжение питания 1.5 В. Количество ранков 1.
История стоимости товара
Указана минимальная стоимость товара за период и разница по сравнению с предыдущим периодом.
Рекомендуем посмотреть
