Оперативная память Patriot Memory SL 8 ГБ DDR4 3200 МГц SODIMM CL22 PSD48G320081S
Производитель:
Отзывы: 0
1 589 ₽
Общие характеристики
- Тип памяти:DDR4
- Форм-фактор:SODIMM 260-контактный
- Тактовая частота:3200 МГц
- Пропускная способность:25600 МБ/с
- Объем:1 модуль 8 ГБ
- Поддержка ECC:нет
- Поддержка XMP:нет
- Буферизованная (Registered):нет
- Низкопрофильная (Low Profile):нет
Тайминги
- Тип памяти:DDR4
- Форм-фактор:SODIMM 260-контактный
- Тактовая частота:3200 МГц
- Пропускная способность:25600 МБ/с
- Объем:1 модуль 8 ГБ
- Поддержка ECC:нет
- Поддержка XMP:нет
- Буферизованная (Registered):нет
- Низкопрофильная (Low Profile):нет
- CAS Latency (CL):22
- RAS to CAS Delay (tRCD):22
- Row Precharge Delay (tRP):22
- Activate to Precharge Delay (tRAS):52
Дополнительно
- Тип памяти:DDR4
- Форм-фактор:SODIMM 260-контактный
- Тактовая частота:3200 МГц
- Пропускная способность:25600 МБ/с
- Объем:1 модуль 8 ГБ
- Поддержка ECC:нет
- Поддержка XMP:нет
- Буферизованная (Registered):нет
- Низкопрофильная (Low Profile):нет
- CAS Latency (CL):22
- RAS to CAS Delay (tRCD):22
- Row Precharge Delay (tRP):22
- Activate to Precharge Delay (tRAS):52
- Напряжение питания:1.2 В
- Количество ранков:1
- Гарантийный срок:10 лет
Название Оперативная память 8 ГБ 1 шт. Patriot Memory Signature PSD48G320081S. Категория Модули памяти. Тип памяти DDR4. Формфактор SODIMM 260контактный. Тактовая частота 3200 МГц. Пропускная способность 25600 МБс. Объем 1 модуль 8 ГБ. Поддержка ECC нет. Поддержка XMP нет. Буферизованная Registered) нет. Низкопрофильная Low Profile) нет. CAS Latency CL) 22. RAS to CAS Delay tRCD) 22. Row Precharge Delay tRP) 22. Activate to Precharge Delay tRAS) 52. Напряжение питания 1.2 В. Количество ранков 1.
История стоимости товара
Указана минимальная стоимость товара за период и разница по сравнению с предыдущим периодом.
Рекомендуем посмотреть
