Процессор Intel Xeon E52690 v3 LGA20113, 12 x 2600 МГц, OEM

Центральный процессор микропроцессор Сегмент рынка Сервер Семейство Intel Xeon E52600 v3 Номер модели E52690 v3 Частота2600 МГц Максимальная частота турбо 3500 МГц Скорость шины9,6 ГТс QPI 4800 МГц)5 ГТс DMI Тактовый множитель 26 Пакет 2011land FlipChip Land Grid Array Сокет 20113 R3 LGA20113 Размер2.0734; x 1.7734; 5.25cm x 4.5cm Дата представления 8 сентября 2014 года Процессоры ESQS Производственный процесс 0,022 микрона Ширина данных 64 бит Количество ядер процессора 12 Количество потоков 24 Блок плавающей точки Встроенный Размер кэша первого уровня 12 x 32 КБ 8ходовых ассоциативных кэшей инструкций 12 x 32 КБ 8ходовых ассоциативных кэшей данных Размер кэша второго уровня 12 x 256 КБ 8way set ассоциативных кэшей Размер кэша 3го уровня 30 МБ 20ходовой ассоциативной общей кэшпамяти Физическая память 768 ГБ Многопроцессорная обработка До 2 процессоров Расширения и технологии Инструкции MMXSSE потоковые SIMDрасширенияSSE2 Потоковые SIMDрасширения 2SSE3 Потоковые SIMDрасширения 3SSSE3 Supplemental Streaming SIMD Extensions 3SSE4 SSE4.1 43; SSE4.2 Потоковые SIMDрасширения 4AES инструкции Advanced Encryption StandardAVX Расширенные векторные расширенияAVX2 Advanced Vector Extensions 2.0BMI BMI1 43; BMI2 Инструкции битовой манипуляции F16C 16битные инструкции преобразования с плавающей точкой FMA3 3операндные инструкции Fused MultiplyAddEM64T Технология расширенной памяти 64 Intel 64NX XD бит запрета выполненияHT Технология HyperThreadingVTx Технология виртуализацииVTd Виртуализация для направленного вводавыводаTBT 2.0 Технология Turbo Boost 2.0TXT Технология Trusted ExecutionTSX Transactional Synchronization Extensions Особенности низкого энергопотребления Усовершенствованная технология SpeedStep Интегрированные периферийные устройства компоненты Интегрированная графика Нет Контроллер памяти Количество контроллеров: 2 Каналы памяти на контроллер: 2 Поддерживаемая память: DDR41600, DDR41866, DDR42133 Модули DIMM на канал: 3 Максимальная пропускная способность памяти ГБс): 68,3 Поддерживается ECC: Да Другие периферийные устройства Direct Media Interface 2.0Quick Path Interconnect v1.1 2 канала)Интерфейс PCI Express 3.0 40 линий)Электрические тепловые параметры V ядра 0,65 В 1,3 В Максимальная рабочая температура 89.9C Минимальная рассеиваемая мощность 38 Вт состояние C1E)13 Вт состояние C6) Тепловая расчетная мощность 135 Вт