Оперативная память Patriot Memory SL 16 ГБ DDR4 2400 МГц SODIMM CL17 PSD416G24002S
Производитель:
Отзывы: 0
3 199 ₽
Общие характеристики
- Тип памяти:DDR4
- Форм-фактор:SODIMM 260-контактный
- Тактовая частота:2400 МГц
- Пропускная способность:19200 МБ/с
- Объем:1 модуль 16 ГБ
- Поддержка ECC:нет
- Поддержка XMP:нет
- Буферизованная (Registered):нет
- Низкопрофильная (Low Profile):нет
Тайминги
- Тип памяти:DDR4
- Форм-фактор:SODIMM 260-контактный
- Тактовая частота:2400 МГц
- Пропускная способность:19200 МБ/с
- Объем:1 модуль 16 ГБ
- Поддержка ECC:нет
- Поддержка XMP:нет
- Буферизованная (Registered):нет
- Низкопрофильная (Low Profile):нет
- CAS Latency (CL):17
- RAS to CAS Delay (tRCD):17
- Row Precharge Delay (tRP):17
- Activate to Precharge Delay (tRAS):39
Дополнительно
- Тип памяти:DDR4
- Форм-фактор:SODIMM 260-контактный
- Тактовая частота:2400 МГц
- Пропускная способность:19200 МБ/с
- Объем:1 модуль 16 ГБ
- Поддержка ECC:нет
- Поддержка XMP:нет
- Буферизованная (Registered):нет
- Низкопрофильная (Low Profile):нет
- CAS Latency (CL):17
- RAS to CAS Delay (tRCD):17
- Row Precharge Delay (tRP):17
- Activate to Precharge Delay (tRAS):39
- Количество чипов каждого модуля:16, двусторонняя упаковка
- Напряжение питания:1.2 В
- Количество ранков:2
- Гарантийный срок:10 лет
Название Оперативная память Patriot Memory PSD416G24002S. Категория Модули памяти. Тип памяти DDR4. Формфактор SODIMM 260контактный. Тактовая частота 2400 МГц. Пропускная способность 19200 МБс. Объем 1 модуль 16 ГБ. Поддержка ECC нет. Поддержка XMP нет. Буферизованная Registered) нет. Низкопрофильная Low Profile) нет. CAS Latency CL) 17. RAS to CAS Delay tRCD) 17. Row Precharge Delay tRP) 17. Activate to Precharge Delay tRAS) 39. Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка. Напряжение питания 1.2 В.
История стоимости товара
Указана минимальная стоимость товара за период и разница по сравнению с предыдущим периодом.
Рекомендуем посмотреть
