Транзистор КТ940А BF459)

Основные технические параметры КТ940А:КТ940АТранзисторы кремниевые мезапланарные структуры npn усилительные.Предназначены для применения в выходных каскадах видеоусилителей телевизионных приемников цветного и чернобелого изображения.Транзисторы КТ940А, КТ940Б, КТ940В выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Транзисторы КТ940А5, КТ940Б5, КТ940В5 выпускаются в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.Тип прибора указывается в этикетке.Масса транзистора в пластмассовом корпусе не более 0,7 г, кристалла не более 0,01 г.Основные технические характеристики транзистора КТ940А: Структура транзистора: npn; Рк max Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,2 Вт; Рк т max Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт; fгр Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 90 МГц; Uкэr max Максимальное напряжение коллекторэмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи базаэмиттер: 300 В 10кОм); Uэбо max Максимальное напряжение эмиттербаза при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; Iк max Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,1 А; Iк и max Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 0,3 А; Iкбо Обратный ток коллектора ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллекторбаза и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мА 250В); h21э Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25; Ск Емкость коллекторного перехода: не более 4,2 пФ; Rкэ нас Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не бо