Оперативная память Netac 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 NTBSD4N26SP04
Производитель: Netac
Отзывы: 0
1 190 ₽
Общие характеристики
- Тип памяти:DDR4
- Форм-фактор:SODIMM 260-контактный
- Тактовая частота:2666 МГц
- Пропускная способность:21300 МБ/с
- Объем:1 модуль 4 ГБ
- Поддержка ECC:нет
- Буферизованная (Registered):нет
- Низкопрофильная (Low Profile):нет
Тайминги
- Тип памяти:DDR4
- Форм-фактор:SODIMM 260-контактный
- Тактовая частота:2666 МГц
- Пропускная способность:21300 МБ/с
- Объем:1 модуль 4 ГБ
- Поддержка ECC:нет
- Буферизованная (Registered):нет
- Низкопрофильная (Low Profile):нет
- CAS Latency (CL):19
- RAS to CAS Delay (tRCD):19
- Row Precharge Delay (tRP):19
- Activate to Precharge Delay (tRAS):43
Дополнительно
- Тип памяти:DDR4
- Форм-фактор:SODIMM 260-контактный
- Тактовая частота:2666 МГц
- Пропускная способность:21300 МБ/с
- Объем:1 модуль 4 ГБ
- Поддержка ECC:нет
- Буферизованная (Registered):нет
- Низкопрофильная (Low Profile):нет
- CAS Latency (CL):19
- RAS to CAS Delay (tRCD):19
- Row Precharge Delay (tRP):19
- Activate to Precharge Delay (tRAS):43
- Напряжение питания:1.2 В
- Срок службы:1 г.
- Гарантийный срок:1 г.
ХарактеристикиПроизводительNetacЛинейкаНетМодельNTBSD4N26SP04Тип оборудованияПамятьЧастота MHz)DDR4 2666Тип модуляSODIMMОбъем одного модуля ГБ)4Количество модулей в комплекте шт)1Общий объем памяти ГБ)4Пропускная способность МБс)21300Поддержка ECCНетПоддержка RegНетНизкопрофильнаяНетКоличество контактов260CAS Latency CL)19RAS to CAS Delay tRCD)19Row Precharge Delay tRP)19Activate to Precharge Delay tRAS)43Тайминги19191943РадиаторНетПоддержка водяного охлажденияНетЦвет ЧерныйПодсветкаНетНапряжение В)1.2Нормальная операционная температура Tcase)85 CРасширенная операционная температура Tcase)95 CПотребление энергии3 ВтГабариты мм)70ширинасм)1длинасм)17высотасм)6массакг)0.04гарантия1 годpartNumberNTBSD4N26SP04
История стоимости товара
Указана минимальная стоимость товара за период и разница по сравнению с предыдущим периодом.
Рекомендуем посмотреть